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STD11NM60N-1 |
TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB | STMicroelectronics | 168 | 电话:0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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STD11NM60N-1参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK 包装数量:75 包装形式:管件 PDF资料下载: ![]() FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压 (Vdss):600V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):450 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):31nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):850pF @ 50V 功率 - 最大值:90W 安装类型:通孔 |
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