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元器件采购网 > S-1348页 > FET - 单STD11NM60N-1

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STD11NM60N-1

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STD11NM60N-1参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
包装数量:75
包装形式:管件
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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):450 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):31nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):850pF @ 50V
功率 - 最大值:90W
安装类型:通孔

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